Приложение 3
ИКдиоды
Разработка полупроводниковых инфракрасных излучателей - ИК диодов - одно из самых значительных достижений полупроводниковой
Таблица ПЗ
|
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
АЛ107Г |
12(100) |
|
0,94-0,96 |
2(100) |
100 |
2 |
25(0.8) |
АЛ115В |
9(100) |
1/0;6 |
0,9-1 |
1,8(50) |
600* |
4 |
30(0,8) |
AЛ119A |
40(300) |
1/1,5 |
0,93-0,96 |
3(300) |
300 |
- |
- |
АЛ119В |
25(300) |
0,35/1,5 |
0,93-0,96 |
3(300) |
300 |
- |
- |
АЛ123А |
500(10000)* |
0,35/0,5 |
0,94 |
2(300') |
400 |
0 |
|
ЗЛ130А |
350(3000)* |
1,5/1,5 |
0,95 |
3(3000) |
300 |
1 |
|
АЛ144А |
20(100) |
- |
0,93-0,98 |
2(100) |
150* |
1 |
50 |
АЛ145Д |
20(100) |
- |
0,93-0,98 |
1,6(100) |
1100* |
- |
40 |
АЛ147А |
16/ср(100) |
0,3/0,3 |
0,85-0,89 |
1,8(100) |
1500* |
- |
40 |
АЛ156В |
12(100) |
0,1/0,1 |
0,82-0,9 |
1,8(100) |
2500* |
3 |
20(0,8) |
АЛ162А |
100/ср(100) |
0,3/0,3 |
0,85-0,89 |
1,8(100) |
1500* |
- |
- |
АЛ163А |
11(100) |
0.05/0,05 |
0.82-0,9 |
2(100) |
1000* |
3 |
70(0,8) |
АЛ165Б |
15(100) |
- |
0,87 |
2(100) |
2500* |
3 |
20(0,8) |
АЛ168В |
400/ср(80) |
- |
0,85-0,9 |
1,6(80) |
1500* |
2 |
- |
АЛ170А |
16/ср(40) |
0,5/0,5 |
0,85-0,89 |
2,3(700)* |
1000* |
- |
20(0,5) |
АЛ170Б |
40/ср(40) |
0,5/0,5 |
0,85-0,89 |
2,3(700)* |
1000* |
- |
10(0,5) |
АЛ170В |
100/ср(40) |
0,5/0,5 |
0,85-0,89 |
2,3(700)* |
1000* |
- |
4(0,5) |
техники последних лет. Появился компактный, высокоэффективный, быстродействующий источник инфракрасного излучения, способный сконцентрировать в очень короткой вспышке мощность, многократно превышающую мощность непрерывного его излучения.
Параметры некоторых ИК диодов отечественного производства приведены в таблице П3 [5].
1 - излучаемая мощность Ре, мВт или мВт/ср (при токе в диоде в мА);
2 - время нарастания/спада излучаемой мощности (0,1...0,9Рmax),мкс;
3 - длина волны, соответствующая максимальному излучению, мкм;
4 - падение напряжения на диоде, В (при токе, мА);
5 - максимальный ток в диоде, мА;
6 - максимальное обратное напряжение, В;
7 - угол излучения, в градусах (по уровню Ре max/2);
К таблице П3:
1. Спектральные характеристики ИК диодов имеют один максимум - Dl- в интервале длин волн 0,87...0,96 мкм..
2. Пространственная плотность излучения измеряется в милливаттах на стерадиан (мВт/ср).
3. Для измерения силы излучения пользуются и другой единицей - милликавделой (мКд). Их соотношение: 1 мКд - 1,683 мВт/ср.
4. При повышении температуры lmax диода смещается в сторону длинных волн.
*) импульсное значение